Descripción
COD. 112269
* Disco pull-new, removido de equipos NUEVOS. Se entrega en caja *
* Para evitar devoluciones y contratiempos innecesarios, si lo desconoce, CONSULTE COMPATIBILIDAD con su equipo antes de realizar la compra*
Rendimiento redefinido
La unidad SSD Western Digital PC SN740 NVMe permite a los fabricantes crear sistemas delgados y ligeros que están preparados para aceptar el desafío de las exigentes cargas de trabajo del futuro con un equilibrio entre rendimiento y eficiencia energética.
Innovación a través de la interfaz PCIe® Gen 4
La unidad SSD Western Digital PC SN740 NVMe redefine las expectativas de rendimiento a través de la innovación de la arquitectura NVMe escalable, al aportar un nuevo estándar para lo que los usuarios pueden esperar de su almacenamiento.
La unidad Western Digital PC SN740 proporciona al cliente informático que busca dispositivos móviles delgados y de mayor durabilidad una solución que no sacrifica el rendimiento y que ofrece una gama de capacidades.
La versatilidad da un paso hacia adelante
Gracias a la compatibilidad con PCIe Gen4x4, la unidad PC SN740 está diseñada para ofrecer un mayor rendimiento con un menor consumo de energía. Esto significa que también está certificada para los equipos portátiles Intel® Evo™.
La unidad PC SN740, una solución totalmente integrada, está diseñada con el controlador propio de Western Digital, NAND 3D y el firmware, todo ello sometido a rigurosas pruebas para proporcionar un suministro confiable y resistente.
Especificaciones
Disco de Estado Sólido
- Capacidad 512GB
DRAM Cache
- Tipo: No posee
- HMB : 64 MB
Características
- TRIM: Sí
- SMART: Sí
- Encripción: TCG Pyrite
- Compatible con PS5
Fïsicas
- Formato M.2 2242 (M Key)
- Interfaz: PCIe 4.0x4
- Protocolo: NVMe 1.4
- Consumo de Energía: 0.05 W (Ocioso) - 5W (Máximo)
NAND Flash
- Fabricante: Kioxia
- Nombre: BiCS5
- Tipo: TLC
- Tecnología: 112 Layer
Controlador
- Fabricante. WD
- Nombre: 20-82-10081-A1 Polaris MP16+
- Arquitectura: ARM 32-bit Cortex-R
- Fundición: TSMC FinFET
- Proceso: 16 nm
Rendimiento
- Rendimiento de lectura secuencial máximo 5000MB/s
- Rendimiento de escritura secuencial máximo 4000MB/s
- Lectura aleatoria 460K IOPS
- Escritura aleatoria 800K IOPS
- Resistencia: 300 TBW
** Disco Pull New, removido de equipos NUEVOS. Se entrega en caja **